时间：2025/8/6 7:59:49
阅读：29
IXSN55N120A 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高电压和高电流的应用，例如电源转换、马达控制、电池充电器和工业自动化系统。IXSN55N120A 采用 TO-247 封装，具有良好的热性能和高耐用性，适用于高要求的工业环境。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：1200V
漏极电流（Id）：55A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：约0.23Ω（最大）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：约4.5V~6.5V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：TO-247
IXSN55N120A MOSFET 具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现卓越。首先，其高耐压能力（1200V）使其适用于高电压电路，如开关电源和逆变器。其次，55A的连续漏极电流能力确保其在高负载条件下仍能稳定运行。此外，该器件的导通电阻较低，典型值约为0.23Ω，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。
IXSN55N120A 还具备出色的热管理能力，TO-247 封装提供了良好的散热性能，有助于在高温环境下维持稳定运行。该器件的栅极阈值电压范围为4.5V~6.5V，兼容标准逻辑驱动电路，便于集成到各种控制系统中。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C~+150°C）使其适用于极端环境下的应用，例如工业设备和电动汽车系统。
另外，IXSN55N120A 在制造过程中采用了先进的硅技术，确保了器件的高可靠性和长寿命。它具备良好的短路和过载保护能力，能够有效应对突发的电气应力，从而提高系统的整体安全性。
IXSN55N120A 主要用于高功率和高电压的电子系统中，例如：
? 开关电源（SMPS）
? 逆变器和变频器
? 电池管理系统（BMS）
? 工业电机控制
? 电焊设备
? 太阳能光伏逆变器
? 电动汽车充电设备
? 不间断电源（UPS）系统
该器件的高耐压和大电流能力使其成为电力电子设备中的理想选择。
IXFH55N120P3, IXFN55N120A2
