型号：TSD5N60S
　　封装类型：TO-220/TO-220F
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：5A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：20A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值4.5Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：2~4V
　　输入电容（Ciss）：约950pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：约180pF
　　反向恢复时间（trr）：未集成体二极管或快速恢复型
　　最大功耗（Pd）：50W（@Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃

TSD5N60S采用了高性能的平面栅结构和优化的元胞布局，在600V高电压应用场景下实现了出色的导通与开关性能平衡。其导通电阻Rds(on)在Vgs为10V时典型值仅为4.5Ω，有效降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。器件的栅极电荷Qg较低，通常在25nC左右（具体值依测试条件而定），这显著减少了驱动电路所需的能量，使得它非常适合高频开关应用，如小型化开关电源和高效LED照明驱动。此外，较低的输入电容Ciss和输出电容Coss也减小了开关过程中的动态损耗，并有助于降低EMI辐射水平。
　　该MOSFET具备较强的雪崩耐量能力，经过设计优化可承受一定的单脉冲雪崩能量，提升了在异常工况（如负载突变或短路）下的运行可靠性。体二极管虽然存在，但并非专为快速恢复设计，因此在需要频繁反向电流续流的应用中建议外接肖特基或快恢复二极管以改善性能。TSD5N60S的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，确保了其在高温工业环境或密闭空间内的长期稳定运行。TO-220封装提供了良好的散热路径，配合适当的PCB铜箔面积或散热片，可有效控制温升，延长器件寿命。
　　制造工艺方面，TSD5N60S遵循严格的质量控制流程，材料选择和封装技术均符合RoHS指令要求，支持无铅回流焊工艺，适应现代绿色电子产品制造趋势。同时，该器件在批次一致性、参数离散性控制方面表现良好，有利于大规模生产中的良率保障和系统一致性。综合来看，TSD5N60S是一款性价比高、性能稳定的中功率高压MOSFET，特别适用于对成本敏感且要求一定可靠性的中小功率电源产品设计。

TSD5N60S广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，特别是在AC-DC功率转换环节发挥关键作用。常见应用场景包括适配器电源（如手机充电器、笔记本电脑电源）、小型开关电源模块（如DIN导轨电源、工业控制电源）、LED恒流驱动电源（尤其是隔离式反激拓扑结构）以及家用电器中的辅助电源（待机电源）。在这些应用中，TSD5N60S作为主开关管或初级侧开关元件，承担能量传递与通断控制功能，其600V耐压能力足以应对整流后市电峰值电压，并留有足够安全裕量。
　　此外，该器件也适用于非隔离型降压变换器（Buck Converter）或有源钳位电路中，用于实现高效的直流电压调节。在电机驱动领域，TSD5N60S可用于小功率风机、水泵或电动工具的控制电路中，作为低端开关使用。由于其具备一定的抗雪崩能力和较高的可靠性，也能胜任部分工业自动化设备中的电源管理任务。在待机电源设计中，因其低静态功耗潜力和良好的轻载效率表现，有助于满足能源之星或欧盟CoC等能效标准要求。
　　值得一提的是，TSD5N60S还可用于反激式变换器（Flyback Converter）中的初级侧开关，配合UC3842、OB2263等常用PWM控制器，构成经济高效的电源方案。其较低的栅极驱动需求使其兼容多种通用驱动IC，简化了外围电路设计。总体而言，TSD5N60S凭借其合理的性能指标和成本优势，成为中小功率电力电子系统中主流的N沟道增强型MOSFET选择之一。

STP5NK60ZFP
　　FQP5N60C
　　KSP5N60AG
　　2SK2641