时间：2025/5/7 15:25:50
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DMN67D8L 是一款来自 Diodes 公司的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件采用 DFN3030-8 封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于便携式设备、电源管理模块以及负载开关等应用。其额定电压为 30V，最大连续漏极电流可达 4A。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：4A
栅极阈值电压：1.2V~2.2V
导通电阻（典型值，在 Vgs=4.5V 时）：25mΩ
导通电阻（最大值，在 Vgs=4.5V 时）：35mΩ
导通电阻（典型值，在 Vgs=10V 时）：19mΩ
导通电阻（最大值，在 Vgs=10V 时）：25mΩ
总功耗：1.0W
工作结温范围：-55℃~150℃
DMN67D8L 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输，减少了能量损耗。
2. 快速开关能力使其非常适合高频应用。
3. 小尺寸的 DFN3030-8 封装提高了 PCB 空间利用率。
4. 高可靠性设计支持广泛的工作温度范围。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
DMN67D8L 广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. 电池供电设备中的电源管理。
3. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器。
4. 各类消费类电子产品中的保护电路。
5. 工业自动化控制中的小型化驱动电路。
6. 电机驱动和 LED 驱动中的功率控制。
DMN67D8U, DMN67D8T
