TSD5N50M 时间：2025/7/26 12:20:25 阅读：4

TSD5N50M是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，常用于高频率开关应用。这款MOSFET具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适合用于DC-DC转换器、电源管理模块以及电机控制电路等应用。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：5A（在Tc=25℃时）
　　功耗（Pd）：75W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：TO-220

特性

TSD5N50M具备一系列优良的电气和机械特性。首先，其500V的漏源电压使其适用于高电压应用，例如电源适配器、工业电源和照明设备。其次，该器件的导通电阻较低，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，TSD5N50M具有快速的开关速度，有助于降低开关损耗，提高系统的工作频率。这种MOSFET还具备较高的热稳定性，能够在高功率环境下保持稳定运行。最后，TO-220封装提供了良好的散热性能，使得该器件能够在较高的环境温度下可靠工作。
　　另外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常可以在10V至20V之间工作，这使其能够与多种驱动电路兼容。TSD5N50M还具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压情况下提供一定的保护作用，从而提高了系统的可靠性和寿命。

应用

TSD5N50M广泛应用于多种电力电子系统中。常见的应用场景包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路以及LED照明电源等。由于其高耐压能力和良好的导通性能，这款MOSFET也非常适合用于需要高效率和高可靠性的工业控制设备。此外，它还可用于电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器以及电动车充电器等新能源领域的产品中。