时间：2025/12/24 18:43:37
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MTN7002ZN3 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于中低功率的开关和放大电路。该器件采用先进的 Trench 技术，具有较低的导通电阻和良好的热性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等应用。MTN7002ZN3 采用 SOT-223 封装，便于散热，适合高密度 PCB 设计。
类型: N-Channel Enhancement Mode MOSFET
漏源电压 (Vds): 20V
栅源电压 (Vgs): ±12V
连续漏极电流 (Id): 500mA
导通电阻 (Rds(on)): 1.5Ω @ Vgs=10V
漏源击穿电压 (BVDSS): 20V
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
封装: SOT-223
MTN7002ZN3 的核心优势在于其低导通电阻和良好的热稳定性，使其在低电压应用中表现出色。
首先，该 MOSFET 使用先进的 Trench 工艺技术，使得导通电阻 Rds(on) 降低至 1.5Ω，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件在 10V 栅极驱动电压下即可完全导通，兼容常见的驱动电路设计，适用于广泛的开关应用。
其次，MTN7002ZN3 采用 SOT-223 封装，具有良好的散热性能，能够在高电流条件下保持较低的温升，提高器件的可靠性。该封装也适合表面贴装工艺，适用于高密度 PCB 设计，满足现代电子设备对小型化和高集成度的需求。
再者，该器件的漏源电压为 20V，能够适用于 12V 和 5V 的电源系统，广泛用于 DC-DC 转换器、电池管理系统、LED 驱动电路以及低功耗负载开关等应用场景。同时，其栅极驱动电压范围为 ±12V，具有较强的抗干扰能力，确保开关过程的稳定性。
最后，MTN7002ZN3 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于各种工业环境，包括汽车电子、消费类电子产品和工业控制设备。
MTN7002ZN3 主要应用于低电压功率开关、DC-DC 转换器、电池管理系统、LED 驱动电路、负载开关、电机控制电路、电源管理模块以及便携式电子设备中。其低导通电阻和 SOT-223 封装形式，使其非常适合用于空间受限但需要良好散热性能的电路设计。
MTN7002Z, 2N7002, 2N7002K, BSS138
