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TS820-700T 发布时间 时间:2025/7/22 13:02:10 查看 阅读:6

TS820-700T 是一款由 Toshiba(东芝)公司推出的功率晶体管,主要用于高频放大和功率转换应用。该器件采用先进的硅基双极性晶体管(BJT)技术,具有较高的功率增益和良好的热稳定性,适用于射频(RF)功率放大器、工业加热设备、无线通信系统以及其他需要高效能功率晶体管的场合。TS820-700T 的设计目标是在高频条件下提供稳定的性能,确保设备在高功率运行时依然具备良好的效率和可靠性。

参数

类型:NPN双极性晶体管(BJT)
  最大集电极-发射极电压:125V
  最大集电极电流:15A
  最大功率耗散:150W
  频率范围:DC至175MHz
  增益带宽积(fT):100MHz
  封装形式:TO-220AB
  工作温度范围:-65°C至+150°C

特性

TS820-700T 功率晶体管具备多项优良特性,使其在多种高频功率应用中表现出色。首先,其较高的最大集电极-发射极电压(125V)和集电极电流(15A)允许它在高功率条件下稳定工作,适用于大功率放大和开关应用。其次,该器件的功率耗散为150W,能够承受较大的热负荷,确保在连续高功率运行时的可靠性。
  该晶体管的频率范围涵盖从直流到175MHz,适用于广泛的射频和中频应用,例如射频功率放大器、无线基站、工业加热设备以及各种高频逆变器和转换器。其增益带宽积(fT)为100MHz,表明在高频条件下依然能够提供足够的增益,确保信号放大效果。
  TS820-700T 采用TO-220AB封装形式,这种封装不仅提供了良好的散热性能,还便于安装在散热片上,有助于提高器件的热管理能力。此外,其工作温度范围为-65°C至+150°C,适应多种恶劣环境条件下的稳定运行。
  该晶体管还具备较低的饱和压降和快速的开关特性,有助于提高整体系统的效率和响应速度。这些特性使其成为工业控制、通信设备、广播发射机等应用中的理想选择。

应用

TS820-700T 主要用于需要高功率输出和良好频率响应的电子系统中。典型应用包括射频功率放大器、工业高频加热设备、无线通信基站、广播发射机、中频逆变器、功率开关电路以及各种需要高增益、高稳定性的功率电子设备。由于其良好的热稳定性和高效的功率处理能力,该晶体管也广泛应用于电源管理、电机驱动和电子负载控制系统中。

替代型号

TIP142, 2SC2290, TIP147, 2N6035

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TS820-700T参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭SCR - 单个
  • 系列-
  • SCR 型灵敏栅极
  • 电压 - 断路700V
  • 电压 - 栅极触发器 (Vgt)(最大)800mV
  • 电压 - 导通状态 (Vtm)(最大)1.6V
  • 电流 - 导通状态 (It (AV))(最大)5A
  • 电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大)8A
  • 电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大)200µA
  • 电流 - 维持(Ih)5mA
  • 电流 - 断开状态(最大)5µA
  • 电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm)70A,73A
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件