时间:2025/12/25 13:42:38
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BD92001MUV-E2是一款由罗姆(ROHM)公司推出的高效、同步降压型DC-DC转换器,专为需要高效率和小尺寸解决方案的便携式设备和电池供电系统设计。该芯片采用电流模式控制架构,能够提供稳定的输出电压并具备出色的瞬态响应能力。其输入电压范围宽,适用于多种电源输入场景,包括单节或多节锂电池供电的应用。BD92001MUV-E2集成了两个N沟道功率MOSFET,实现了高达95%以上的转换效率,同时减少了外部元件数量,简化了电路设计。该器件封装于紧凑的HTSOP-J8封装中,适合对空间有严格要求的便携式电子产品。此外,该芯片内置多种保护功能,如过流保护、过温保护和软启动机制,确保在各种工作条件下都能安全可靠地运行。
型号:BD92001MUV-E2
制造商:ROHM
封装类型:HTSOP-J8
引脚数:8
输入电压范围:2.7V ~ 5.5V
输出电压范围:0.8V ~ 3.6V(可调)
最大输出电流:2A
开关频率:1.2MHz
控制方式:电流模式PWM控制
静态电流:典型值30μA
关断电流:小于1μA
反馈参考电压:0.6V ± 2%
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
集成MOSFET:内置上管和下管N-MOS
保护功能:过流保护、过温保护、欠压锁定、软启动
调节方式:通过外部电阻分压网络调节输出电压
BD92001MUV-E2采用先进的电流模式控制架构,具备快速的负载瞬态响应能力,能够在输出负载发生突变时迅速调整占空比,维持输出电压的稳定性。这种控制方式还提高了环路稳定性,并简化了外部补偿网络的设计。该芯片的工作频率固定为1.2MHz,允许使用小型电感和陶瓷电容,从而显著减小整体解决方案的尺寸,特别适用于对空间敏感的移动设备应用。
该器件的高集成度是其一大亮点,内部集成了两个低导通电阻的N沟道MOSFET作为功率开关,不仅提升了转换效率,还省去了外部驱动电路,降低了设计复杂度。在满载条件下,转换效率可达到95%以上,而在轻载时也表现出良好的能效表现,有助于延长电池供电设备的续航时间。为了进一步优化轻载效率,芯片可能支持脉冲跳跃模式或类似节能机制,在低功耗状态下自动切换运行模式以减少开关损耗。
BD92001MUV-E2具备完善的保护机制,包括逐周期过流保护(OCP),当检测到电感电流超过设定阈值时会立即限制电流,防止器件损坏;过温保护(OTP)则在结温超过安全限值时自动关闭输出,待温度下降后恢复工作。此外,芯片还具备输入欠压锁定(UVLO)功能,确保在输入电压不足时不启动,避免异常操作。软启动功能可防止启动过程中产生过大的浪涌电流,保护输入电源和负载电路。
该芯片支持从2.7V至5.5V的宽输入电压范围,使其适用于单节锂离子/锂聚合物电池(3.0V~4.2V)、5V系统轨以及USB供电等多种应用场景。输出电压可通过外部电阻分压器在0.8V至3.6V范围内精确调节,满足不同核心电压需求。其HTSOP-J8封装具有良好的热性能,便于PCB布局和散热管理。整个设计符合RoHS环保标准,并且E2后缀表示其为卷带包装,适用于自动化贴片生产。
BD92001MUV-E2广泛应用于需要高效、小体积电源解决方案的便携式电子设备中。典型应用包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器和蓝牙耳机等消费类电子产品,用于为核心处理器、内存、传感器或其他低电压逻辑电路提供稳定电源。由于其高效率和低静态电流特性,非常适合电池供电系统,有助于延长设备的待机时间和使用时长。
在工业领域,该芯片可用于便携式测量仪器、手持式扫描仪、无线传感器节点和物联网(IoT)终端设备中,为MCU、RF模块和模拟前端供电。其宽输入电压范围和良好的瞬态响应能力使其能够在电池电压随放电过程下降的情况下仍保持稳定的输出性能。
此外,BD92001MUV-E2也可用于FPGA、ASIC或DSP的核心电压调节,尤其是在空间受限但对电源噪声和动态响应有较高要求的设计中。它还可作为通用型点负载(Point-of-Load, POL)电源,替代线性稳压器以提高系统效率,特别是在输入输出压差较大的情况下节能效果显著。
在医疗电子设备中,如便携式监护仪、血糖仪或电子听诊器中,该芯片因其高可靠性和低噪声特性而被采用。配合适当的滤波元件,可以为敏感的模拟电路提供干净的电源轨。总之,凡是需要将3.3V或锂电池电压高效降至1.xV~3.3V范围内的应用场景,BD92001MUV-E2都是一个极具竞争力的选择。
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"BD92000MUV-E2",
"BD92002MUV-E2",
"BD92003MUV-E2",
"TPS62130DSGR",
"MP2315DJ-LF-Z"
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