时间：2025/7/15 20:41:58
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TS4GJFV95C是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的DRAM芯片，属于高性能存储器器件。这款芯片具有4Gb的容量，采用FBGA封装形式，工作电压为1.2V，适用于对性能和功耗都有较高要求的应用场景。
容量：4Gb
类型：DRAM
封装：FBGA
工作电压：1.2V
TS4GJFV95C具备低功耗、高性能的特性，其采用了先进的DRAM技术，以保证数据的快速读写与稳定存储。此外，该芯片支持多种操作模式，包括自动刷新和自刷新模式，能够在不同的应用场景中优化能耗表现。FBGA封装不仅有助于提高散热效率，还能在空间受限的设计中提供更高的集成度。
该器件的接口符合JEDEC标准，简化了系统设计并提高了兼容性。同时，它还具备出色的可靠性和稳定性，适合用于工业级和商业级产品中。
TS4GJFV95C广泛应用于消费电子设备、嵌入式系统、网络设备以及便携式电子产品等领域。具体来说，它可以用于智能手机、平板电脑、数字电视、机顶盒、路由器以及其他需要高效能内存解决方案的场合。
IS43TR16400B-166BH1BL
