时间：2025/9/14 6:05:09
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PBSS4021SN,115 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和负载开关应用。这款器件采用先进的TrenchMOS技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池供电设备等应用场景。该器件采用小型SOT223封装，具有良好的热性能和空间利用率，适用于表面贴装技术（SMT）。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：40V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：8.8A（在25°C环境温度下）
功耗(PD)：2.5W
导通电阻(RDS(on))：最大45mΩ（在VGS=10V时）
阈值电压(VGS(th))：1V至2.5V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT223
PBSS4021SN,115 具备多项显著特性，使其在电源管理和功率开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。这在高电流应用中尤为重要，因为较低的RDS(on)意味着更少的热量产生和更少的能量浪费。其次，该器件能够承受高达40V的漏源电压，适用于多种中低压功率转换系统，例如DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路。
该MOSFET采用先进的TrenchMOS工艺，实现了更高的单位面积电流密度，从而在相同封装尺寸下提供更高的性能。此外，其SOT223封装不仅节省空间，还具备良好的热管理能力，使器件在高负载条件下也能保持稳定运行。
PBSS4021SN,115 的栅极驱动电压范围较宽，支持标准逻辑电平（如5V或10V）驱动，方便与微控制器或其他数字控制电路配合使用。其阈值电压范围为1V至2.5V，在确保稳定开关性能的同时，也避免了误触发的风险。
此外，该器件具备出色的热稳定性，在-55°C至150°C的宽温度范围内可稳定工作，适用于工业级和汽车级应用场合。其高可靠性和良好的长期稳定性也使其在恶劣环境中具有优异的表现。
PBSS4021SN,115 适用于多种中低压功率电子系统，包括但不限于以下应用场景：
1. **电源管理**：如DC-DC转换器、负载开关、电池充电电路等，利用其低RDS(on)和高效率特性，提升整体系统能效。
2. **电机控制**：用于H桥驱动、直流电机控制等，其高电流承载能力和快速开关特性可有效提高电机控制精度和效率。
3. **电池供电设备**：如笔记本电脑、平板电脑、智能移动设备等，SOT223封装节省空间，同时具备良好的热性能，适合便携式设备设计。
4. **工业控制与自动化**：用于PLC、传感器模块、继电器替代方案等，提供可靠的开关控制功能。
5. **汽车电子**：如车载充电系统、车身控制模块等，其宽工作温度范围和高可靠性满足汽车应用的严苛要求。
IPD90N04S4-03, STD40NF04L, FDP4021, NTD40N04RT
