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TS3A27518E 发布时间 时间:2025/5/6 12:09:56 查看 阅读:9

TS3A27518E 是一款高性能、低电容的模拟开关,采用 TI(德州仪器)的先进技术制造。它支持单刀双掷 (SPDT) 配置,适用于需要低插入损耗和高信号完整性的应用。此器件能够在宽电压范围内运行,并提供极低的导通电阻 (Ron),确保在音频和射频信号路径中保持出色的性能。
  该开关支持高达 4 GHz 的带宽,使其非常适合高速数据传输和高频通信应用。其设计优化了功耗与性能之间的平衡,非常适合便携式设备和对功率敏感的设计。

参数

供电电压:1.6V 至 3.6V
  导通电阻(Ron):0.9Ω(典型值)
  带宽:4GHz
  输入电容:0.4pF(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:WSON-10

特性

TS3A27518E 提供了极低的导通电阻和低电容,确保了优异的信号完整性,特别是在处理高频信号时。其小型 WSON 封装节省了电路板空间,同时简化了布局设计。器件支持快速切换时间,可有效减少信号失真。
  此外,TS3A27518E 的低功耗特性使其非常适合电池供电设备,例如智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。由于其宽电压范围和高可靠性,该器件还能够适应多种电源环境,增强了设计灵活性。
  该器件还具备出色的电磁兼容性 (EMC),可以减少对外部干扰的敏感度以及对外部设备的干扰。这使得 TS3A27518E 在复杂的射频环境中表现出色,比如无线通信系统、工业控制和医疗设备等应用场景。

应用

TS3A27518E 广泛应用于各种需要低插入损耗和高带宽的场景。具体应用包括:
  1. 智能手机和平板电脑中的天线切换
  2. 高速数据线路保护
  3. 音频信号路径切换
  4. 射频前端模块 (RF FEM)
  5. 医疗设备中的信号路由
  6. 工业自动化中的传感器接口切换
  这些应用充分利用了其低导通电阻、宽带宽和低电容的优势,保证了系统的高效性和稳定性。

替代型号

TS3A27518DGVR, TS3A27518DGN

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