2SK170 时间：2025/7/15 20:33:15 阅读：7

2SK170是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛应用于高频率开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动电路中。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适合于需要高效能和紧凑设计的电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：30A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：55mΩ @ VGS=10V
　　最大功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

2SK170具有较低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够有效降低能量损耗并减少发热。此外，该器件的开关速度较快，有助于提高电源转换效率。
　　其封装形式通常为TO-220或类似的小型化封装，便于安装在紧凑的电路板上。同时，2SK170具备良好的热稳定性和可靠性，在高温环境下依然可以保持稳定的性能。
　　这款MOSFET还具备较高的耐压能力，适用于多种中低压应用场景，如电池供电设备、负载开关、逆变器和电动工具控制等。它的栅极驱动要求相对简单，可与常见的PWM控制器配合使用。

应用

2SK170常用于各种功率电子设备中，包括但不限于：
　　1. DC-DC升压/降压转换器：作为主开关元件，实现高效的电压转换。
　　2. 电源管理模块：用于电源分配和负载控制。
　　3. 电机驱动电路：在H桥电路中作为高速开关使用。
　　4. 逆变器系统：用于将直流电转换为交流电的应用场景。
　　5. 工业自动化设备：作为高可靠性开关元件，用于控制各种执行机构。