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TS2GSH72V4B 发布时间 时间:2025/8/28 11:52:20 查看 阅读:14

TS2GSH72V4B是一款由Micron(美光)公司制造的DRAM(动态随机存取存储器)模块,属于服务器内存类别,主要用于高性能计算、服务器和存储系统中。该内存模块符合ECC(错误检查与纠正)和Registered(寄存)特性,确保数据完整性和稳定性。

参数

类型:ECC Registered DIMM
  容量:16GB
  速度:DDR4-2400
  电压:1.2V
  行地址(Row Address Bits):17
  列地址(Column Address Bits):10
  刷新周期:64ms
  数据宽度:72位(带ECC)
  工作温度:0°C至85°C

特性

TS2GSH72V4B具有高可靠性和纠错能力,其ECC功能可以检测并纠正单比特错误,同时检测多比特错误,从而显著提高系统数据完整性。此外,该模块采用Registered(寄存)设计,通过减少内存控制器的负载,支持更高的内存容量和系统稳定性。该模块基于DDR4技术,具备更低的电压(1.2V),相较于前代DDR3产品,功耗更低且性能更强。模块支持64ms的刷新周期,以确保数据的持久存储,并且具备标准的72位数据宽度(包括8位ECC校验位),适用于对数据可靠性要求极高的企业级应用。
  此外,TS2GSH72V4B在设计上优化了信号完整性和时序控制,确保在高频运行时仍能保持稳定。其工作温度范围为0°C至85°C,适用于大多数服务器和存储设备的运行环境,具备良好的适应性和耐用性。

应用

TS2GSH72V4B广泛应用于企业级服务器、云计算平台、数据库服务器、虚拟化系统以及高性能计算(HPC)环境。其高可靠性和纠错能力使其特别适合需要长时间稳定运行的系统,例如金融、医疗、数据中心等关键业务场景。同时,由于其支持Registered(寄存)架构,服务器主板可以支持更多的内存模块,从而扩展到更大的内存容量,满足大型应用和多任务处理的需求。

替代型号

MTA18ASF2G72PZ-2G9A1、HMA82GU6AFR8N-TF