时间：2025/8/14 12:11:43
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TS240S-AU_R1_000A1 是由 Toshiba（东芝）公司生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具备较低的导通电阻和快速的开关特性，适合在电源管理、DC-DC转换器、电池管理系统以及电机控制等领域使用。该MOSFET通常封装在小型DFN（Dual Flat No-lead）封装中，便于在高密度PCB设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：4.4A
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±8V
导通电阻（RDS(on)）：24mΩ @ VGS=4.5V
功率耗散（PD）：2.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：DFN1010-8
TS240S-AU_R1_000A1 是一款高性能功率MOSFET，其核心特性包括低导通电阻和快速开关能力，能够在高频率下保持良好的效率表现。该器件采用了东芝专有的沟槽栅极结构，使得RDS(on)显著降低，从而减少了导通损耗。此外，其小型DFN封装不仅节省空间，还具有良好的热性能，有助于提高器件在高负载条件下的稳定性。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持从2.5V到8V的输入，使其适用于多种控制器和驱动电路。在开关应用中，TS240S-AU_R1_000A1 的快速上升和下降时间可有效减少开关损耗，提升整体系统效率。同时，其较高的热稳定性和可靠性确保了在高温环境下的长期稳定运行。
TS240S-AU_R1_000A1 常用于需要高效能、小尺寸功率开关的电子设备中，如便携式电子产品、锂电池保护电路、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电机驱动电路以及各类低电压高效率电源管理系统。由于其优异的导通特性和高频响应能力，也适用于同步整流器和电源管理IC中的功率级应用。
Si2302DS, BSS138LT1G, FDS6675CZ
