类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100mA
　　导通电阻（RDS(on)）：最大6.4Ω（在VGS=4.5V时）
　　功率耗散：200mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-363

TS1GLH64V2B2 MOSFET具备多个关键特性，使其在低功率开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）在4.5V栅极驱动电压下仅为6.4Ω，这意味着在导通状态下，该器件的电压降较小，从而降低了功耗并提高了效率。
　　其次，该MOSFET具有高开关速度，适合用于高频开关电路。其快速的开关特性减少了开关损耗，提高了系统的整体效率，适用于DC-DC转换器、负载开关和电源管理模块等应用。
　　此外，TS1GLH64V2B2采用了SOT-363小型封装，节省了PCB空间，非常适合高密度电路设计。该封装还具备良好的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定工作温度。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的最大栅源电压，增强了其在不同驱动条件下的适用性。同时，该器件具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能维持稳定的工作性能，适合工业级和消费类电子产品的使用需求。
　　最后，TS1GLH64V2B2具有较高的可靠性和较长的使用寿命，适用于对稳定性要求较高的应用场景。

TS1GLH64V2B2 MOSFET广泛应用于多个领域。在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，该器件用于电源管理电路中的负载开关，实现对不同功能模块的高效供电控制。
　　在电源管理系统中，TS1GLH64V2B2可用于DC-DC转换器、电池充电电路和电压调节模块，提高能量转换效率并减少发热。
　　此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备、传感器模块和通信设备中的低功率开关控制，提供稳定的导通和断开功能。
　　由于其高频开关特性和低导通电阻，TS1GLH64V2B2还常用于LED驱动电路、电机控制电路以及小型电源适配器的设计中。

Si2302DS、2N7002、DMG2302UK