时间：2025/6/11 14:51:02
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CBR08C399B1GAC 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率开关器件，主要用于高频率和高效率的电源转换场景。该器件采用了先进的横向场效应晶体管 (e-mode HEMT) 结构设计，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。其封装形式为紧凑型表面贴装 (SMD)，非常适合用于高频 DC-DC 转换器、开关电源 (SMPS) 和其他高性能电力电子应用。
CBR08C399B1GAC 的设计结合了 GaN 材料的独特优势，使得它能够在高频工作条件下保持较低的开关损耗和导通损耗，从而显著提升整体系统效率。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：8A
导通电阻：75mΩ
栅极电荷：40nC
输入电容：420pF
反向恢复时间：10ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CBR08C399B1GAC 具备以下主要特性：
1. 高效的氮化镓 (GaN) 场效应晶体管技术，确保低导通电阻和低开关损耗。
2. 支持高达 2MHz 的开关频率，适合高频应用场景。
3. 内置优化的驱动电路，简化外部元件使用需求。
4. 具有快速的反向恢复特性，减少开关过程中的能量损失。
5. 紧凑型表面贴装封装设计，节省 PCB 布局空间。
6. 广泛的工作温度范围，能够适应恶劣环境下的稳定运行。
7. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
这些特点使其成为高效率、小体积电源解决方案的理想选择。
CBR08C399B1GAC 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，如适配器、充电器等。
2. 高频 DC-DC 转换器，例如服务器和通信设备中的电源模块。
3. 无线充电器和其他消费类电子产品。
4. 工业用电机驱动和逆变器。
5. 太阳能微逆变器及储能系统。
6. 汽车电子系统中的 DC-DC 转换器。
由于其卓越的性能和可靠性，CBR08C399B1GAC 在需要高效率和高频率操作的应用中表现出色。
CBR08C400B1GAC, CBR10C399B1GAC
