容量：64K x 8 位
　　接口类型：并行接口（8位数据总线）
　　电源电压：2.7V 至 3.6V
　　最大访问时间：55 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TSOP 54引脚
　　写入次数：无限次
　　数据保存时间：10年（断电状态下）
　　读/写周期时间：10 ns

TS1GLH64V2B-G 的核心特性在于其结合了高速SRAM的性能和非易失性存储的优势。该芯片采用 Cypress 的 nvSRAM 技术，能够在系统断电时自动将数据保存到内部的非易失性存储单元中，无需外部电源支持。这种技术消除了传统EEPROM或Flash存储器在写入时的延迟问题，确保了数据的即时保存。此外，芯片支持无限次的读写操作，避免了Flash存储器的擦写寿命限制。其内置的自动存储（AutoStore）功能可在检测到电源下降时自动触发数据保存过程，而无需软件干预。同时，该芯片具备卓越的抗干扰能力和高可靠性，适合在工业、汽车和通信等高要求环境中使用。
　　此外，TS1GLH64V2B-G 支持多种工作模式，包括高速读写模式和低功耗待机模式，能够根据应用需求灵活调整功耗水平。其54引脚TSOP封装形式也便于集成到各种紧凑型电路设计中，提高了系统的整体稳定性和可扩展性。

TS1GLH64V2B-G 主要应用于需要高速数据存取与断电数据保护的场合，如工业控制系统、自动化设备、医疗设备、网络路由器和交换机、汽车电子系统（如ADAS）、数据采集与记录设备等。在这些应用中，该芯片能够提供可靠的临时数据存储，并确保在突发断电或其他异常情况下关键数据不会丢失。此外，它也适用于需要频繁更新数据的场景，如实时数据库、缓存存储器、配置寄存器等。

FM24V05-G, CY14B108V3A-SXIT, ADM24V10-55SH