时间：2025/6/16 19:44:46
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IRF9Z14SPBF 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），采用 SuperFET II 技术。该器件专为高效能开关应用设计，具有极低的导通电阻和快速开关特性，适用于高频率工作场合。
SuperFET 技术通过优化单元设计和工艺技术显著降低了导通电阻 Rds(on)，从而提高了效率并减少了功耗。此外，其栅极电荷较低，有助于降低驱动损耗并进一步提升系统性能。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：32A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：60nC（典型值）
总开关时间：8ns（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
该 MOSFET 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可减少传导损耗并提高效率。
2. 低栅极电荷 Qg，有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗。
3. 高电流承载能力，能够支持大功率应用。
4. 热增强型封装设计，改善了散热性能。
5. 工作温度范围宽广，适用于各种严苛环境条件下的应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品需求。
IRF9Z14SPBF 的高性能使其非常适合于多种工业和消费类电子应用，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 太阳能逆变器中的功率转换级。
5. 各种电池充电和管理系统中的负载开关。
6. LED 驱动器中用于精确控制电流的功率开关元件。
IRFP9Z14PBF, IRF9Z14G
