TS15P05G 时间：2025/12/29 13:15:15 阅读：15

TS15P05G 是一款由 Toshiba（东芝）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效能、低导通电阻和高速开关特性的电源管理系统中。该器件采用P沟道结构，适用于负载开关、DC-DC转换器、电池供电设备等应用场景。TS15P05G 以其小型封装和高性能特性，广泛应用于便携式电子产品、工业控制设备以及通信系统等领域。

参数

类型：P沟道
　　漏源电压(Vds)：50V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：1.5A
　　导通电阻(Rds(on))：约0.25Ω @ Vgs = -10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

TS15P05G 作为一款P沟道MOSFET，具备一系列优秀的电气特性和设计优势。其最大漏源电压为50V，能够满足多种中低功率电源管理应用的需求。该器件的栅源电压范围为±20V，具备较强的抗干扰能力，同时确保了在不同工作环境下的稳定性。
　　连续漏极电流为1.5A，能够支持较高的负载能力，适用于需要较高电流的负载开关和电源转换电路。TS15P05G 的导通电阻（Rds(on)）约为0.25Ω，在Vgs = -10V的情况下表现出较低的导通损耗，从而提升了系统的整体效率。这一特性使得它在DC-DC转换器和电池管理系统中表现出色，减少了能量损耗并提升了设备的续航能力。
　　TS15P05G 的工作温度范围为-55°C至150°C，具备良好的热稳定性和环境适应性，适用于工业级和消费级产品。该器件采用SOT-23封装形式，具有体积小、重量轻、便于集成等优点，特别适合空间受限的便携式电子设备设计。

应用

TS15P05G 主要应用于各类电源管理系统和功率控制电路中。例如，在便携式电子产品中，该MOSFET可用于电池供电系统的负载开关，实现对不同模块的高效电源管理。在DC-DC转换器中，TS15P05G 可作为主开关器件，用于提升转换效率并减少发热。此外，该器件也适用于工业控制设备中的电源控制模块，以及通信系统中的稳压电源设计。
　　由于其高可靠性和小型封装，TS15P05G 也被广泛用于智能穿戴设备、智能手机、平板电脑、数码相机等消费类电子产品中，作为关键的电源管理元件。同时，在嵌入式系统和物联网设备中，TS15P05G 也常用于电源分配和负载控制，以提升系统的整体能效。