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M29W400DB55N6 发布时间 时间:2025/12/27 2:59:34 查看 阅读:12

M29W400DB55N6是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的4 Mbit(512 K × 8位或256 K × 16位)扇区式闪存存储器芯片,属于其M29W系列高性能CMOS闪存产品线。该器件采用先进的嵌入式闪存技术制造,具备高可靠性、快速读取性能以及灵活的擦除和编程能力,广泛应用于需要非易失性存储的嵌入式系统中。M29W400DB55N6中的‘D’表示该芯片为双电压供电版本(VDD用于读取操作,VPP用于编程与擦除),‘B’表示其组织结构为按字节/字方式访问(即8/16位模式可选),‘400’代表容量为4 Mbit,‘55’表示最大访问时间为55纳秒,‘N6’则指其封装形式为48引脚TSOP(薄型小外形封装)。该芯片支持标准的微处理器接口时序,兼容JEDEC标准命令集,可通过常见的CE#(片选)、OE#(输出使能)和WE#(写使能)信号进行控制。此外,它内置了内部擦除和编程定时器(自动定时算法),能够显著降低控制器负担并提高编程可靠性。M29W400DB55N6还具备软件数据保护机制,防止因误操作或异常电源波动导致的数据损坏,适用于工业控制、通信设备、消费电子和汽车电子等多种应用场景。

参数

制造商:STMicroelectronics
  产品系列:M29W
  存储容量:4 Mbit
  组织方式:512 K × 8 / 256 K × 16
  电源电压(VCC):2.7V ~ 3.6V
  编程电压(VPP):12V ± 0.5V
  访问时间:55 ns
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:48-pin TSOP Type II
  接口类型:并行
  读取电流(典型值):20 mA
  待机电流(典型值):100 μA
  编程/擦除耐久性:100,000 次
  数据保持时间:20 年以上

特性

M29W400DB55N6具备多项先进特性,使其在嵌入式非易失性存储应用中表现出色。首先,该芯片采用扇区式架构设计,将整个存储阵列划分为多个可独立擦除的扇区,其中包括多个较小的参数扇区(如4 KB或8 KB大小)和一个较大的主存储扇区(32 KB或64 KB),这种结构特别适合需要频繁更新小量数据(如配置信息或日志记录)的应用场景,同时避免对主程序代码区域造成不必要的擦除操作,从而延长整体寿命。
  其次,该器件支持标准的命令用户接口(CUI),通过向特定地址写入特定指令序列来执行诸如自动选择、产品识别、扇区擦除、整片擦除、编程等操作。这一机制不仅提高了使用的灵活性,也增强了与其他微控制器或处理器的兼容性。芯片内部集成的嵌入式算法(Embedded Algorithms)包括自动编程算法(EPA)和自动擦除算法(EEA),可在无需外部干预的情况下完成复杂的编程与擦除流程,并自动检测操作是否成功,显著提升了系统的可靠性和稳定性。
  再者,M29W400DB55N6提供了多种硬件和软件数据保护功能。例如,在上电和掉电过程中,芯片会自动进入只读状态,防止意外写入;同时支持软件写保护命令,用户可通过发送特定指令序列锁定部分或全部存储区域。此外,该器件具有低功耗管理模式,在待机状态下电流消耗极低,有助于延长电池供电设备的工作时间。
  最后,该芯片经过严格的质量认证,符合工业级温度范围要求(-40°C 至 +85°C),适用于恶劣环境下的长期运行。其高抗干扰能力和稳定的电气性能确保了在复杂电磁环境中依然能够可靠工作。这些综合特性使得M29W400DB55N6成为许多嵌入式系统设计师在选择外部闪存时的首选方案之一。

应用

M29W400DB55N6广泛应用于各种需要可靠、高速、非易失性存储的嵌入式系统中。在工业控制系统中,它常被用于存储PLC固件、HMI界面数据、设备配置参数及运行日志,得益于其扇区式结构和高耐用性,特别适合需要频繁更新少量参数的场合。在通信设备领域,如路由器、交换机、基站模块等,该芯片可用于存放启动代码(Boot Code)、固件映像和网络配置信息,其55ns的快速访问时间保证了系统上电后能迅速加载程序,提升启动效率。
  在消费类电子产品中,例如机顶盒、数字电视、多媒体播放器和家用电器控制器,M29W400DB55N6可作为主程序存储器使用,支持用户界面、操作系统和应用程序的稳定运行。其并行接口提供了较高的数据吞吐能力,满足实时性要求较高的音视频处理需求。
  在汽车电子系统中,该芯片可用于车身控制模块(BCM)、仪表盘显示单元、车载信息娱乐系统(IVI)等,存储车辆校准数据、用户设置和诊断信息。由于其工作温度范围宽、抗振动和抗电磁干扰能力强,能够在严苛的车载环境中长期稳定运行。
  此外,在医疗设备、测试测量仪器和智能电表等对数据完整性要求极高的应用中,M29W400DB55N6的高可靠性、长达20年的数据保持能力和10万次以上的擦写寿命,使其成为值得信赖的存储解决方案。总体而言,该芯片凭借其成熟的技术、良好的兼容性和广泛的适用性,在多个行业中持续发挥重要作用。

替代型号

[
   "M29W400DT70N6",
   "M29W400AB",
   "M29W400BB",
   "SST39VF400A",
   "AM29LV400DB",
   "EN29LV400BB"
  ]

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M29W400DB55N6参数

  • 标准包装96
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列Axcell™
  • 格式 - 存储器闪存
  • 存储器类型闪存 - 或非
  • 存储容量4M(512K x 8,256K x 16)
  • 速度55ns
  • 接口并联
  • 电源电压2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商设备封装48-TSOP(12x20)
  • 包装托盘