类型：P 沟道 MOSFET
　　漏极-源极电压（VDS）：-30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-10A
　　导通电阻（RDS(on)）：30mΩ（最大值，@ VGS = -10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

TS130P-12 MOSFET 具备多项优异的电气和热性能，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其 P 沟道结构使其在高端开关应用中非常实用，尤其是在需要简单驱动电路的设计中。其次，该器件的导通电阻非常低，典型值为 30mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。此外，TS130P-12 具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达 -10A，适用于中高功率负载。在热性能方面，TS130P-12 采用 TO-252 封装，该封装具有良好的散热能力，能够在高负载条件下保持稳定的工作温度。该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，提高了其在严苛工作环境中的可靠性。TS130P-12 的栅极驱动电压范围较宽，支持 ±20V，允许使用多种类型的驱动电路，增加了其在不同设计中的灵活性。此外，该 MOSFET 在高温下的性能稳定，确保了其在恶劣环境中的长期可靠性。最后，TS130P-12 符合 RoHS 标准，不含铅和其他有害物质，适用于环保型电子产品设计。

TS130P-12 广泛应用于各种功率电子系统中，尤其是在需要高效率和高可靠性的场合。常见应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统以及电机控制电路。此外，该器件也常用于工业自动化设备、消费类电子产品电源管理模块以及汽车电子系统中的开关电路。由于其高可靠性和良好的热管理能力，TS130P-12 也适合用于需要长时间运行的嵌入式系统和工业控制设备。

Si4435BDY-T1-GE3, FDC6330L, IRF7409, AO4406A