品牌：Intel
　　类型：NOR Flash
　　容量：32 Mbit (4 MB)
　　封装形式：48-ball FBGA 或 28-pin TSOP
　　电源电压：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行（x8/x16 模式可选）
　　读取访问时间：最大 90ns
　　写入/擦除耐久性：典型值为 100,000 次
　　数据保持时间：大于 10 年
　　待机电流：典型值 20μA
　　编程电压：内部电荷泵生成，无需外部高压
　　地址总线宽度：21 位
　　数据总线宽度：8/16 位可配置
　　擦除单位：块（Block）或扇区（Sector）
　　块大小：不同块大小混合配置，主块为 64KB，另有 8KB 和 32KB 小块用于灵活管理

TE28F400B3B90具备多项关键特性，使其成为嵌入式系统中可靠的非易失性存储解决方案。
　　首先，该芯片支持x8/x16两种数据总线模式，允许系统根据性能需求和引脚资源选择最优配置。这种灵活性使得它既能用于8位微控制器系统，也能适配高性能的16位或32位处理器架构，提升了其应用适应能力。此外，其90ns的快速读取访问时间确保了代码执行效率，在无需将程序复制到RAM的情况下即可实现“就地执行”（XIP, eXecute In Place），从而节省内存资源并加快启动速度。
　　其次，TE28F400B3B90集成了智能算法控制的内部电荷泵，能够在正常供电电压下完成编程和擦除操作，无需额外提供高电压引脚，简化了电源设计并降低了系统复杂度。同时，芯片内置写保护机制，包括软件写保护和硬件写保护（通过Vpp引脚或特定控制信号），有效防止误写或意外擦除关键固件，提高系统安全性。
　　再者，该器件采用分区块的存储结构，包含多个大小不同的擦除单元（如64KB主块、32KB和8KB辅助块），支持局部擦除而不影响其他区域数据，非常适合需要频繁更新部分配置信息或日志数据的应用场景。此外，其宽温工作范围（-40°C至+85°C）和低功耗待机模式（典型值20μA）使其适用于工业级和户外环境下的长时间稳定运行。
　　最后，TE28F400B3B90符合环保标准，采用无铅封装工艺，并兼容主流编程器与开发工具链，方便量产烧录与现场升级。虽然目前该型号已进入停产或生命周期后期阶段，但由于其成熟稳定的设计，仍被广泛用于替代方案有限的老设备维护中。

TE28F400B3B90主要用于需要高可靠性、中等容量非易失性存储的嵌入式系统领域。
　　在通信设备中，常用于路由器、交换机和基站模块中存储引导程序（Bootloader）、操作系统镜像及配置参数，因其支持XIP特性，能够直接从Flash中执行初始化代码，减少对外部RAM的依赖，加快设备启动过程。在工业自动化控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块中保存用户程序、校准数据和运行日志，其坚固的NOR Flash结构对电磁干扰具有较强抗扰能力，适合工厂环境使用。
　　此外，在医疗电子设备如便携式监护仪、诊断仪器中，TE28F400B3B90用于存储固件和设备配置信息，确保断电后数据不丢失，并满足长时间稳定运行的要求。在消费类高端设备如打印机、POS机中，也常见该芯片用于存放驱动代码和界面资源。
　　由于其支持工业级温度范围和低功耗模式，该器件同样适用于车载电子系统中的信息娱乐模块或车身控制单元，特别是在早期车型中作为主控Flash使用。此外，军事与航空航天领域的某些非极端环境应用也曾采用此系列芯片，得益于其经过验证的长期供货历史和稳定性记录。尽管当前新型设计更多转向SPI NOR或串行闪存以节省空间，但在并行接口主导的旧平台维护和升级项目中，TE28F400B3B90依然是重要的元器件之一。

SST39VF400A-90-4C-E2
　　MBM29DL400TC-90KNERNE
　　AM29LV400DB-90EI
　　EON EN29LV400AB-90TII