制造商：Teledyne e2v
　　核心架构：ARM946E-S
　　工作频率：100 MHz
　　工艺技术：130 nm抗辐射工艺
　　工作电压：1.2 V（核心），3.3 V（I/O）
　　封装形式：Ceramic PGA 或 Hermetic LCC
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　抗总电离剂量（TID）能力：≥ 300 krad(Si)
　　抗单粒子闩锁（SEL）能力：> 120 MeV·cm2/mg
　　抗单粒子翻转（SEU）敏感性：经设计加固，典型LET阈值 > 37 MeV·cm2/mg
　　内存管理单元（MMU）：集成MPU（内存保护单元）
　　缓存大小：16 KB指令缓存 + 16 KB数据缓存
　　接口类型：PCI、Local Bus、UART、GPIO、中断控制器、DMA控制器
　　内置RAM：可选配置，典型为128 KB片上SRAM
　　外部存储支持：SDR SDRAM、SRAM、Flash等

TS1100-100EG5的核心特性在于其卓越的抗辐射能力和高可靠性设计，使其成为航天电子系统中不可或缺的处理单元。该芯片采用专门优化的130 nm硅基CMOS工艺，结合辐射加固设计技术（RHBD），有效抑制由宇宙射线和太阳粒子引发的单粒子效应（SEE），包括单粒子翻转（SEU）、单粒子瞬态（SET）和单粒子闩锁（SEL）。其ARM946E-S核心支持16位Thumb指令集和32位ARM指令集，提供良好的代码密度与执行效率平衡，适用于资源受限但需长期稳定运行的空间任务。处理器内部集成了内存保护单元（MPU），可对不同内存区域实施访问权限控制，提升系统安全性与稳定性。
　　在系统集成方面，TS1100-100EG5提供了灵活的本地总线接口，支持多种外设和存储器连接，同时配备PCI接口以实现高速通信扩展。其多通道DMA控制器减轻CPU负担，提高数据吞吐效率。芯片还集成了ECC（错误检查与纠正）逻辑，用于保护片上SRAM和外部存储器的数据完整性，能够检测双位错误并纠正单位错误，显著降低因软错误导致系统崩溃的风险。此外，内置的看门狗定时器、电源监控电路和复位管理模块确保系统在异常条件下能够自动恢复。
　　TS1100-100EG5的设计充分考虑了长期任务的需求，支持在轨可编程性和固件更新能力，适应复杂多变的任务场景。其热设计也经过优化，可在宽温范围内稳定工作，避免因温度波动引起的性能退化。整个器件在出厂前均经过严格的老化测试、辐射测试和功能验证，符合MIL-STD-883等宇航级质量标准。这些特性共同使TS1100-100EG5成为现代航天器主控计算机、姿态控制系统、星载数据处理单元等关键子系统的理想选择。

TS1100-100EG5主要应用于对可靠性、抗辐射性能和长期稳定性要求极为严苛的航空航天领域。其典型应用场景包括地球观测卫星、通信卫星、导航卫星以及深空探测任务中的主控处理器或协处理器。在卫星平台中，该芯片常被用于姿态与轨道控制系统（AOCS），负责实时采集传感器数据（如陀螺仪、星敏感器）并执行控制算法，确保卫星精确指向和轨道维持。由于其具备ECC内存支持和错误检测机制，也适合用于星载数据处理单元，进行遥测数据压缩、编码和路由管理。
　　在深空探测任务中，TS1100-100EG5可用于科学仪器的控制与数据采集系统，例如光谱仪、成像设备和粒子探测器的嵌入式控制器。其抗辐射特性保证了在长时间暴露于银河宇宙射线和太阳高能粒子环境下的稳定运行，减少了地面干预需求。此外，该芯片还可用于航天器的电源管理系统、热控系统和故障诊断模块，承担关键状态监控和自主决策任务。
　　除航天外，TS1100-100EG5也可用于高海拔飞行器、高空长航时无人机以及核设施中的控制系统，这些环境同样存在较强的电离辐射背景。由于其具备军用级温度范围和密封封装，也能适应极端工业环境下的使用需求。总体而言，任何需要在无人维护、不可修复或高风险环境下长期运行的嵌入式系统，都是TS1100-100EG5的潜在应用领域。

TS1100-100EH5
　　TS1100-80EG5
　　UT699 (from Cobham Gaisler)