时间：2025/8/21 19:14:42
阅读：14
TS100V6MM16TJS 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率 MOSFET 晶体管，属于 STripFET F6 系列。该器件专为高效率、高功率密度应用设计，适用于如电源转换、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场景。TS100V6MM16TJS 采用先进的沟槽式栅极技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和出色的热性能，可在高温环境下稳定运行。
类型: N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds): 100V
最大漏极电流(Id): 80A @ 25°C, 50A @ 100°C
导通电阻(Rds(on)): 6.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg): 42nC
功耗(Pd): 200W
工作温度范围: -55°C ~ 175°C
封装类型: PowerFLAT 5x6
引脚数: 5
TS100V6MM16TJS 的核心优势在于其卓越的导电性能和热管理能力。该器件采用 STMicroelectronics 的最新 STripFET F6 技术，使 Rds(on) 值显著降低，从而减少了导通损耗，提高了能效。其 6.5mΩ 的导通电阻在同类产品中表现优异，有助于降低系统发热。
此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。TS100V6MM16TJS 采用 PowerFLAT 5x6 封装，具有较小的封装体积，同时具备优异的散热性能，适合高密度电源设计。其栅极电荷（Qg）为 42nC，使得开关损耗相对较低，适用于高频开关应用。
TS100V6MM16TJS 适用于多种高功率电子系统，包括但不限于：DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动电路、负载开关、电源管理系统、服务器和电信设备电源模块、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制设备。由于其低导通电阻和高效率特性，特别适合用于对能效和散热要求较高的应用场合。
STL100N10F7, IPW60R006C7, FDP100N10A
