L6387是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高压高边与低边栅极驱动器芯片,专为驱动N沟道功率MOSFET和IGBT而设计。该芯片常用于同步整流、DC-DC转换器、电机控制、电源管理等应用。L6387具备高驱动能力、宽工作电压范围以及出色的抗噪性能,适用于各种中高功率的开关电源系统。
工作电压范围:9 V 至 18 V(VCC)
高压侧工作电压(VB至VS):最高可达600 V
驱动能力:高端与低端驱动器输出电流分别为400 mA(源电流)与800 mA(灌电流)
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:SO-16(表面贴装)
L6387的主要特性包括内置死区时间控制以防止上下桥臂直通、高端浮动电源供电设计、低功耗和高效率运作。芯片内部集成的高压电平转换电路使其适用于高端MOSFET的驱动。此外,L6387具备欠压锁定(UVLO)保护功能,可在电源电压低于安全阈值时关闭输出,防止MOSFET因驱动不足而损坏。
该芯片还具有良好的抗干扰能力,能够有效抑制高频噪声,确保在恶劣电磁环境中稳定工作。其推挽式输出结构提供了快速的上升和下降时间,有助于减少开关损耗并提高系统效率。
此外,L6387的封装设计便于PCB布局,并支持高密度功率转换应用。其内部电路优化了与外部功率器件的兼容性,使得设计者可以灵活应用于不同的拓扑结构,如半桥、全桥或同步整流电路。
L6387广泛应用于各类电力电子变换装置中,如DC-DC转换器、电机驱动器、功率因数校正(PFC)电路、逆变器以及工业自动化设备中的电源管理系统。其高可靠性和灵活性也使其适用于汽车电子、消费类电源适配器及绿色能源系统等领域。
L6387A、IR2110、TC4420、HIP4080