时间：2025/6/12 2:36:25
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TRPGR30ATGB 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低功耗并提升系统性能。其主要应用于开关电源、电机驱动器、DC-DC转换器等领域。
型号：TRPGR30ATGB
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650 V
最大栅极源极电压(Vgs)：±20 V
连续漏极电流(Id)：14 A
导通电阻(Rds(on))：0.18 Ω
总功耗(Ptot)：270 W
结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
TRPGR30ATGB 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下保持较低的功耗。
2. 快速开关速度，有助于提高工作效率并减少电磁干扰(EMI)。
3. 高击穿电压（Vds），确保在高压环境下的可靠运行。
4. 提供强大的热性能，允许更高的瞬时峰值电流。
5. 采用 TO-247 封装，便于散热管理和安装。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
这些特性使得 TRPGR30ATGB 成为多种工业和消费类电子产品的理想选择。
TRPGR30ATGB 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流功能。
3. 各类电机驱动器的控制电路。
4. UPS（不间断电源）系统。
5. 太阳能逆变器及储能设备。
6. 工业自动化控制和负载切换。
由于其出色的电气性能和可靠性，TRPGR30ATGB 在需要高效能量转换和稳定运行的应用中表现出色。
TRPGR30DTGB, IRFZ44N, FQP17N60
