类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：160A
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约1.8mΩ（典型值）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220或TO-247

TRP16130P MOSFET具有多项突出特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。在大电流应用中，这一点尤为重要。其次，TRP16130P具备高电流承载能力，最大漏极电流可达160A，适用于高功率密度设计。此外，该器件的高耐压能力（VDS=30V）使其在低压大电流应用中具有良好的稳定性。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽栅技术，提供了卓越的开关性能，减少了开关损耗，并提高了响应速度。这使得TRP16130P非常适合用于高频开关电源、同步整流器和DC-DC转换器等应用。此外，其TO-220或TO-247封装形式具有良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定的运行。
　　TRP16130P还具备较强的热稳定性和抗过载能力，能够在极端工作环境下保持可靠运行。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）使其适用于工业控制、汽车电子以及电源管理系统等对环境要求较高的场合。此外，±20V的栅极电压耐受能力也增强了其在复杂驱动电路中的适用性，防止栅极电压异常导致损坏。

TRP16130P MOSFET广泛应用于多个高功率电子系统领域。在电源管理方面，该器件常用于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器以及负载开关。由于其高效率和低导通电阻，TRP16130P在服务器电源、通信设备电源和电池管理系统中表现优异。
　　在电机控制和工业自动化系统中，TRP16130P被用作H桥驱动器或负载开关，能够有效控制大功率电机的运行。其高开关速度和低损耗特性也使其成为逆变器和UPS（不间断电源）系统中的理想选择。
　　此外，TRP16130P在汽车电子领域也有广泛应用，例如车载充电系统、电动工具、LED照明驱动以及电池保护电路等。其高可靠性和良好的热性能使其在恶劣的车载环境中依然能够稳定工作。

IRF1405, SiR160DP, FDP16130