HSM107STR 时间：2025/9/6 21:14:47 阅读：11

HSM107STR是一款由ROHM Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源转换应用。该器件采用紧凑型SOT-223封装，具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各种电源管理电路。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：10A
　　最大漏极-源极电压：60V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.015Ω（典型值）
　　栅极电压：10V
　　功耗：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：SOT-223

特性

HSM107STR具备多项优异特性，使其在电源管理领域表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率，特别适用于高电流应用。其次，该MOSFET采用SOT-223封装，具有良好的热管理能力，能够有效散热，从而延长器件寿命并提升系统可靠性。此外，HSM107STR的最大漏极-源极电压为60V，最大漏极电流可达10A，适用于中等功率级别的电源转换应用。该器件还具备较高的抗雪崩能力，可在瞬态条件下提供稳定的性能。栅极电压为10V，确保MOSFET能够完全导通，进一步降低开关损耗。同时，HSM107STR的封装设计使其易于集成到PCB板中，适合表面贴装工艺，有助于提高生产效率。
　　在可靠性方面，HSM107STR通过了严格的工业标准测试，确保其在各种环境条件下都能稳定运行。其宽工作温度范围（-55°C至150°C）使其适用于工业级应用，如通信设备、工业自动化、便携式电子产品等。综合来看，HSM107STR是一款性能优异、可靠性高、易于集成的功率MOSFET，是电源设计中的理想选择。