时间：2025/7/16 16:29:43
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TRJG4860G4NL 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻特性的电路中。该器件采用了先进的制造工艺，具有出色的开关性能和较低的导通损耗，适合多种电源管理和电机驱动应用。
这款功率 MOSFET 具有极低的导通电阻 (Rds(on)) 和高击穿电压 (V(br)dss)，使其在各种工业、汽车和消费类电子设备中表现出色。
型号：TRJG4860G4NL
类型：N 沟道 MOSFET
封装形式：TO-220
最大漏源电压(Vdss)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：0.4Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
功耗(Ptot)：175W
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +175°C
TRJG4860G4NL 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，最大漏源电压高达 600V，适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻，减少传导损耗并提高效率。
3. 快速开关特性，有助于降低开关损耗。
4. 强大的雪崩能力，提供更高的可靠性。
5. 宽工作温度范围，适应各种严苛环境。
6. 小巧紧凑的 TO-220 封装设计，便于安装与散热管理G4860G4NL 成为许多高功率密度应用的理想选择。
TRJG4860G4NL 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS) 和 DC/DC 转换器。
2. 逆变器和 UPS 系统。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子中的启动马达和其他大电流控制电路。
6. 各种高电压、高电流的电力电子应用。
由于其高可靠性和优异的电气性能，这款 MOSFET 在上述应用中表现突出。
IRFZ44N
FQP17N60C
STP15NF60
IXFN15N60T2
