时间：2025/9/12 20:33:12
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TR8061AZQW 是一款由 Toshiba（东芝）公司推出的功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件设计用于高功率、高频应用，例如电源转换器、电机驱动器和放大器等电路中。TR8061AZQW采用了先进的制造工艺，确保了其在高电流和高压条件下的可靠性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±30V
最大漏极电流(Id)：8A
导通电阻(Rds(on))：典型值为1.2Ω
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
TR8061AZQW具有低导通电阻的特点，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其高耐压能力（600V）使其适用于高压电源设计。
该器件的封装形式为TO-220，这种封装不仅便于散热，还具有良好的机械稳定性，适合在恶劣的工业环境中使用。
此外，TR8061AZQW的栅极驱动要求较低，能够在较宽的栅极电压范围内正常工作，这使其与多种驱动电路兼容，简化了设计流程。
该MOSFET还具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了整体系统的性能和可靠性。
TR8061AZQW广泛应用于多种高功率和高频场景。例如，在开关电源（SMPS）中，它可以用作主开关器件，提高电源的效率和稳定性。
在电机控制电路中，TR8061AZQW可以驱动直流电机或步进电机，提供可靠的高电流输出。
此外，该器件也适用于逆变器、UPS（不间断电源）和功率放大器等应用。
在工业自动化设备中，TR8061AZQW可用于控制高功率负载，如加热元件或继电器，确保系统的稳定运行。
由于其优异的高频性能，TR8061AZQW还可以用于射频（RF）功率放大器的设计。
TK8A60K3S, 2SK2647, IRFBC40
