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GA0603H183JXXAC31G 发布时间 时间:2025/7/1 3:27:22 查看 阅读:3

GA0603H183JXXAC31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的半导体工艺制造。该芯片广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。其设计旨在提供高效率和低损耗,同时具备出色的热特性和可靠性,满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
  该器件属于沟道型 MOSFET,通过优化的 Rds(on) 参数,能够显著降低导通损耗,从而提升整体系统效率。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  封装:TO-252 (DPAK)
  最大漏源电压(Vdss):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):3.1A
  导通电阻(Rds(on)):18mΩ
  总功耗(Ptot):1.1W
  工作温度范围(Ta):-55°C 至 +150°C
  结温(Tj):-55°C 至 +175°C

特性

GA0603H183JXXAC31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于减少导通损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用。
  3. 出色的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持一致的性能。
  4. 内置反向恢复二极管,降低开关噪声和电磁干扰。
  5. 小尺寸封装,便于在紧凑型设计中使用。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。
  7. 高度可靠,经过严格的质量控制流程,适用于各种工业和消费类电子产品。

应用

该芯片适用于以下应用场景:
  1. 开关电源中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级开关。
  4. 负载开关和保护电路。
  5. 电池管理系统中的充放电控制。
  6. 各种便携式电子设备的功率管理模块。
  GA0603H183JXXAC31G 的高效率和小体积使其成为许多高性能应用的理想选择。

替代型号

GA0603H183JXWAC31G
  IRLZ44N
  FDP017N06L
  AON7714

GA0603H183JXXAC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.018 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-