TQQ1007TR7 时间：2025/8/16 2:45:27 阅读：4

TQQ1007TR7是一款由Qorvo公司推出的高功率射频（RF）晶体管，专为射频放大和通信应用设计。这款晶体管采用了先进的GaAs（砷化镓）技术，能够在高频率下提供出色的性能和可靠性。TQQ1007TR7通常用于无线通信、基站放大器、工业设备和测试设备等领域。

参数

类型：射频功率晶体管
　　技术：GaAs FET
　　最大工作频率：10 GHz
　　输出功率：10 W（典型值）
　　增益：15 dB（典型值）
　　漏极电流：500 mA（典型值）
　　工作电压：28 V
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　封装尺寸：6.4 x 3.2 mm
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

特性

TQQ1007TR7具备多项高性能特性，能够满足现代射频应用的需求。其GaAs FET技术确保了在高频下的高效率和稳定性，适用于10 GHz及以下的射频信号放大。该晶体管在28 V的工作电压下可提供高达10 W的输出功率，增益典型值为15 dB，适合用于高功率射频放大器设计。此外，漏极电流为500 mA，确保了在高功率条件下的稳定运行。TQQ1007TR7采用表面贴装封装，体积小巧，尺寸为6.4 x 3.2 mm，便于集成到紧凑型电路设计中，同时具有良好的散热性能。器件支持-40°C至+85°C的宽工作温度范围，适用于各种严苛的工业和通信环境。
　　除了电性能优异，TQQ1007TR7还具有高可靠性和耐用性，适合长时间运行的通信系统使用。其设计考虑了热管理和长期稳定性，确保在高功率应用中不易损坏。该器件的高线性度特性也使其适用于需要高信号保真的应用，如无线基站、微波通信和测试测量设备。