时间：2025/6/17 9:08:04
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GA1206A5R6DBLBT31G 是一款由 GaN Systems 提供的高性能氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET)，基于增强型横向金属氧化物半导体 (e-mode HEMT) 技术。该器件具有高开关速度、低导通电阻和出色的热性能，适用于高频功率转换应用。
与传统的硅基 MOSFET 相比，这款 GaN 器件能够显著提高效率并减少系统尺寸和重量，使其成为电源管理领域的理想选择。
型号：GA1206A5R6DBLBT31G
类型：增强型 GaN 场效应晶体管 (HEMT)
导通电阻（RDS(on)）：60 mΩ（典型值，在 VGS=6V 时）
击穿电压（BVDSS）：650 V
栅极驱动电压：4.5 V 至 6 V（推荐工作范围）
最大漏极电流（ID）：18 A（脉冲条件下）
总栅极电荷（Qg）：约 47 nC
输入电容（Ciss）：约 1920 pF
输出电容（Coss）：约 36 pF
反向传输电容（Crss）：约 14 pF
封装形式：LLGA-8 封装
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
GA1206A5R6DBLBT31G 的主要特点包括：
1. 高开关频率支持：由于其低寄生电容和快速开关特性，适合高频功率转换应用。
2. 超低导通电阻：在高电流密度下提供高效能表现，降低传导损耗。
3. 紧凑封装设计：LLGA-8 封装不仅节省空间，还优化了散热性能。
4. 宽禁带材料优势：利用氮化镓技术，实现更高的功率密度和系统效率。
5. 强大的鲁棒性：经过严格测试，能够在极端条件下可靠运行。
6. 易于驱动：兼容标准逻辑电平驱动器，简化电路设计。
GA1206A5R6DBLBT31G 广泛应用于以下领域：
1. 数据中心和服务器电源供应。
2. 消费电子适配器和快充设备。
3. 新能源汽车中的车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换器。
4. 工业级电源模块及 UPS 系统。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 电信基础设施中的高效电源解决方案。
7. 高频谐振转换器如 LLC 或其他软开关拓扑结构。
GA1006A5R6DBLBT31G, GA1206A6R0DBLBT31G
