TQQ1007 时间：2025/8/16 2:55:56 阅读：5

TQQ1007是一款由Qorvo公司生产的高功率 GaN（氮化镓）场效应晶体管（FET），主要用于射频（RF）功率放大应用。该器件基于Qorvo先进的氮化镓技术，具有高效率、高功率密度和优异的热稳定性，广泛应用于无线基础设施、雷达、测试设备和工业控制系统等领域。

参数

类型：GaN FET
　　频率范围：DC-4 GHz
　　漏极电流（Id）：最大14 A
　　漏源电压（Vds）：65 V
　　输出功率：125 W（在2.7 GHz时）
　　增益：>20 dB（典型值）
　　效率：>70%（典型值）
　　封装类型：贴片式（SMT）
　　输入和输出阻抗：50Ω
　　工作温度范围：-55°C至+225°C

特性

TQQ1007具备高功率密度，使得在相同输出功率下芯片尺寸更小，适合高密度电路设计。
　　其高击穿电压（65V）提供了更宽的安全工作范围，提高了器件的可靠性和耐用性。
　　该器件采用Qorvo的GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）技术，具有优异的热导率和热稳定性，有助于在高功率运行时保持较低的结温。
　　TQQ1007支持从DC到4 GHz的宽频率范围，适用于多种射频应用，包括蜂窝通信基站（如4G LTE和5G）、雷达系统和工业加热设备。
　　该FET具有高增益和高效率，减少了对外部驱动功率的需求，同时降低了整体系统功耗，提高了能源利用率。
　　此外，TQQ1007采用表面贴装封装形式，便于自动化生产和高密度PCB布局，适用于现代高频电子设备的制造。

应用

TQQ1007主要应用于无线通信基础设施，如蜂窝基站的射频功率放大器模块，特别是在4G LTE和5G网络中，提供高线性度和高效率的信号放大。
　　在军事和航空航天领域，该器件用于雷达系统、电子战设备和通信中继系统，提供稳定可靠的高功率输出。
　　工业应用方面，TQQ1007可用于射频加热、等离子体发生器、工业测试设备和医疗射频设备中的功率放大模块。
　　此外，它还广泛用于射频测试设备和测量仪器，如信号发生器和频谱分析仪，以提供高精度和高功率的测试信号源。
　　对于广播和专业通信系统，TQQ1007可用于FM广播发射机和数字电视（DTV）发射系统，确保高质量的信号传输和覆盖范围。