时间：2025/12/23 15:48:47
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SH31B331K100CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
SH31B331K100CT 属于 N 沟道增强型 MOSFET，其高耐压能力和大电流承载能力使其非常适合高压高频的应用场景。此外，该芯片还具备出色的热稳定性和可靠性，确保在恶劣环境下的长期稳定运行。
最大漏源电压：100V
持续漏极电流：33A
导通电阻（典型值）：1.4mΩ
栅极电荷：95nC
输入电容：2800pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高整体效率。
2. 快速的开关速度，适合高频应用场合。
3. 高电流承载能力，支持大功率输出需求。
4. 良好的热性能设计，保证了长时间工作的稳定性。
5. 宽温度范围支持，适应各种极端环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率开关。
3. 高效 DC-DC 转换器的核心元件。
4. 工业控制设备中的功率级模块。
5. 太阳能逆变器及储能系统的功率转换部分。
6. 各种需要高压高频处理的电子设备中。
IRFP2907, FDP18N10E, IXTH10N100P
