类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：4.1A（@25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：180mΩ（@Vgs=10V）
　　功率耗散(Pd)：2W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装形式：SOT-23

TQQ0041ETR7 采用先进的功率MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了整体效率。其N沟道结构设计使得该器件在高频开关应用中表现出色，同时具备良好的抗过载能力。
　　该MOSFET具有宽泛的栅极电压范围（±20V），允许在多种控制电路中使用，增强了设计的灵活性。此外，其低栅极电荷（Qg）确保了快速的开关特性，从而降低了开关损耗，提高了系统效率。
　　在热管理方面，TQQ0041ETR7 采用高效的散热设计，使其在高电流负载下仍能保持稳定的性能。SOT-23封装形式不仅体积小巧，适合在空间受限的电路中使用，还具备良好的焊接可靠性和机械稳定性，适用于自动化装配流程。
　　器件的工作温度范围为-55℃至150℃，适用于工业级和消费级应用，能够在极端环境下稳定工作。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，符合现代电子产品的环保要求。

TQQ0041ETR7 广泛应用于多种功率电子系统中，尤其适合中低功率的开关和负载管理应用。其高效能和小型封装使其成为便携式设备电源管理系统的理想选择，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的DC-DC转换器和电池保护电路。
　　在工业控制领域，TQQ0041ETR7 可用于驱动继电器、LED照明、小型电机控制以及传感器供电管理。其快速开关特性也使其适用于同步整流器、负载开关和高效率的电源模块设计。
　　此外，该MOSFET还可用于电池供电设备中的负载开关，以实现对不同子系统的独立电源控制，从而延长设备的续航时间。在汽车电子应用中，该器件可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统和小型电动执行机构的驱动电路。

Si2302DS, 2N7002, FDN337N, BSS138