容量：4GB
　　内存标准：HBM2
　　数据速率：最高可达2.4Gbps
　　封装类型：3D堆叠FBGA
　　电源电压：1.3V
　　工作温度范围：0°C 至 85°C
　　数据总线宽度：1024位
　　封装尺寸：约7.5mm x 7.5mm

H90A4GH2GJAMCR-4EM芯片的最大特点是其极高的内存带宽。由于采用了1024位宽的数据总线和高速接口，其总带宽可高达460GB/s以上，这远超传统DDR4或GDDR5内存的带宽水平。此外，该芯片采用3D堆叠技术，将多个DRAM芯片通过TSV互连，大幅减少了内存模块的物理尺寸，提高了空间利用率。同时，HBM2支持更高的容量密度和更低的功耗，适合对功耗和空间要求苛刻的高性能系统。其低电压设计（1.3V）也有助于降低整体能耗，提升能效比。
　　H90A4GH2GJAMCR-4EM的另一个关键特性是其先进的错误校正机制（ECC）和内存自刷新功能，这使其在长时间运行和数据敏感的应用中具备更高的可靠性和稳定性。此外，它还支持多种电源管理模式，如深度掉电模式和预充电模式，以优化功耗。

H90A4GH2GJAMCR-4EM主要用于需要极高内存带宽和紧凑封装的系统中。典型应用包括高端GPU、AI加速卡、高性能计算服务器、图形工作站、深度学习训练设备以及新一代游戏显卡。该芯片也适用于需要大量并行数据处理的领域，如科学计算、大规模模拟、实时渲染和虚拟现实（VR）系统。

H90A4GH2GJAMCR-4EM的替代型号包括三星的HBMR2-4GB-2.4G和美光的HBM2-4GB-2.4G系列芯片。其他兼容型号如H90A4GH2GJAMCR-4EM的升级版本H90A4GH2GJAMCR-5EM或H90A4GH2GJAMCR-6EM也可以作为更高性能需求的替代选项。