频率范围：2.3 GHz至3.8 GHz
　　输出功率：典型值为31 dBm（在3.5 GHz下）
　　功率增益：典型值为22 dB
　　电源电压：典型值为28 V
　　静态电流：约300 mA
　　封装类型：28引脚表面贴装封装（SMD）
　　输入输出阻抗：50Ω
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

TQP8080具有多项高性能特性，首先是其宽带操作能力，覆盖2.3 GHz至3.8 GHz的频率范围，使其适用于多种无线通信标准，包括4G LTE、5G NR和WiMAX等。该器件采用GaAs HBT工艺制造，具备良好的线性度和高输出功率，可在高功率条件下保持良好的信号完整性，减少失真并提升系统性能。TQP8080还具备较高的功率附加效率（PAE），有助于降低功耗并提升系统整体能效。此外，该放大器芯片集成了输入匹配电路，简化了外围设计，减少了PCB布局的复杂性。其封装采用28引脚SMD形式，支持表面贴装工艺，适用于自动化生产，并具备良好的散热性能，确保在高功率应用中的稳定性与可靠性。该器件还具备良好的温度稳定性，可在-40°C至+85°C的宽温度范围内正常工作，适用于工业级和户外通信设备。

TQP8080广泛应用于无线通信基础设施中，特别是在4G LTE和5G基站的功率放大器前端设计中，用于提升信号发射功率并确保良好的信号质量。此外，该芯片也适用于WiMAX系统、点对点微波通信设备、无线本地环路（WLL）系统、智能天线系统以及工业、科学和医疗（ISM）频段设备。其高线性度和宽带特性使其成为多频段、多标准通信设备中理想的射频功率放大器解决方案。TQP8080还可用于测试设备、频谱分析仪和信号发生器等射频测量仪器中，提供稳定的高功率输出。

HMC1114, QPA2519