时间：2025/5/29 12:31:27
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TPW4425-QFKR-S 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低功耗并提升系统的整体性能。
该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，能够在高频开关条件下提供优异的表现，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
型号：TPW4425-QFKR-S
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ（典型值，@Vgs=10V）
栅极电荷(Qg)：7nC
连续工作结温范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-220
TPW4425-QFKR-S 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用，降低了开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 热稳定性强，能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
6. 封装坚固，便于散热设计，支持表面贴装或通过式焊接工艺。
这些特点使 TPW4425-QFKR-S 成为需要高效功率转换和低损耗的各类电子设备的理想选择。
TPW4425-QFKR-S 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. DC-DC 转换器及降压/升压模块。
4. 工业自动化设备中的功率管理单元。
5. 电动车和混合动力汽车中的电池管理系统 (BMS)。
6. LED 驱动器和高效照明解决方案。
由于其低导通电阻和高效率，这款芯片非常适合对能耗敏感的应用场景，例如便携式电子产品和绿色能源技术。
TPW4425E-QFKR, IRFZ44N, FDP5800
