时间：2023/4/10 10:27:38
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MJD42CT4G技术参数
类型：PNP
集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V)：100
集电极最大电流IC(Max)(A)：6
直流电流增益hFE最小值(dB)：15
直流电流增益hFE最大值(dB)：75
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz)：3
总功耗PD(W)：20
封装/温度(℃)：3DPAK/-65~150
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
