MJD42CT4G
时间:2023/4/10 10:27:38
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概述
类型:PNP
集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):100
集电极最大电流IC(Max)(A):6
直流电流增益hFE最小值(dB):15
直流电流增益hFE最大值(dB):75
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):3
总功耗PD(W):20
封装/温度(℃):3DPAK/-65~150
MJD42CT4G推荐供应商
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- MJD42CT4G
- 北京南电科技发展有限公司
- 500
- onsemi
- -/DPAK (SINGLE GAUGE) TO252
-
MJD42CT4G参数
- 标准包装2,500
- 类别分离式半导体产品
- 家庭晶体管(BJT) - 单路
- 系列-
- 晶体管类型PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)6A
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)100V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.5V @ 600mA,6A
- 电流 - 集电极截止(最大)50µA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)15 @ 3A,4V
- 功率 - 最大1.75W
- 频率 - 转换3MHz
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装DPAK-3
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称MJD42CT4GOSMJD42CT4GOS-NDMJD42CT4GOSTR