时间：2025/6/19 4:11:38
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UMY1NTR 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种工业和消费类电子设备中的电源管理模块。
型号：UMY1NTR
类型：N沟道 MOSFET
工作电压（Vds）：60V
连续漏极电流（Id）：48A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ
栅极电荷（Qg）：73nC
总耗散功率（Pd）：216W
结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
UMY1NTR 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高额定电流能力 (Id)，使其能够承受较大的负载电流。
3. 快速开关性能，适用于高频开关电路。
4. 较高的雪崩击穿能力和鲁棒性，增强了器件在异常条件下的可靠性。
5. 耐热性能优异，可在宽温度范围内稳定运行。
6. 采用标准 TO-247 封装，便于安装和散热设计。
UMY1NTR 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. 电机驱动器中的功率级控制。
3. DC-DC 转换器中的同步整流管。
4. 工业逆变器和不间断电源 (UPS) 系统。
5. 太阳能逆变器和其他新能源相关应用。
6. 各种负载切换和保护电路中。
IRFZ44N
STP90NF06L
FDP5500
IXYS 9N60
