时间：2025/4/30 17:14:23
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TPT7742F-SO3R是一种N沟道增强型功率MOSFET，采用小型SO-8封装。该器件主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用中。其低导通电阻和高电流处理能力使得它在效率和热性能方面表现优异。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.5A
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：10nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+150℃
TPT7742F-SO3R具有较低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。此外，它的栅极电荷较小，可以实现更快的开关速度，从而降低开关损耗。
该器件还具备出色的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的性能。其紧凑的SO-8封装形式适合空间受限的应用场景，并且易于焊接与安装。
该MOSFET广泛应用于消费电子、工业控制及汽车领域中的各种电路设计。典型应用场景包括：
1. 开关模式电源(SMPS)中的初级或次级侧开关
2. DC-DC转换器中的同步整流管
3. 电池管理系统的充放电路径控制
4. 小型电机驱动和负载切换
5. 各种便携式设备中的功率管理单元
TPT7742F-D2PAK, IRF7404, FDP5500
