H5PS1G63EFR 时间：2025/9/2 10:33:11 阅读：15

H5PS1G63EFR是一种由SK hynix制造的高性能DRAM芯片，属于低功耗DDR3 SDRAM（LPDDR3）类别。这款芯片专为移动设备和低功耗应用设计，提供较高的数据传输速率，同时保持较低的功耗，适用于智能手机、平板电脑和嵌入式系统。

参数

容量：1Gb
　　组织结构：x32
　　类型：LPDDR3 SDRAM
　　工作电压：1.2V
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：134-ball
　　数据速率：最高可达1600Mbps
　　温度范围：-40°C至85°C

特性

H5PS1G63EFR具备多项高性能特性，首先，其采用LPDDR3技术，能够在降低电压的同时提供较高的数据传输速率，这对于延长移动设备的电池寿命至关重要。其次，该芯片采用134-ball FBGA封装，这种封装形式不仅节省空间，还提供了良好的电气性能和散热能力，适用于高密度的PCB设计。
　　此外，H5PS1G63EFR支持多种低功耗模式，包括自刷新模式（Self-Refresh Mode）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），这些模式能够根据系统需求动态调整功耗，从而进一步优化设备的能效。芯片还具备自动预充电和突发长度可编程等特性，提升了内存访问的灵活性和效率。
　　在可靠性方面，H5PS1G63EFR支持温度补偿自刷新（TCSR）技术，确保在高温环境下数据的稳定性。其工作温度范围为-40°C至85°C，适用于多种复杂环境条件下的稳定运行。

应用

H5PS1G63EFR广泛应用于移动计算设备，如智能手机和平板电脑，作为主内存提供高速数据存取能力。此外，该芯片也常用于嵌入式系统、工业控制设备、便携式医疗设备和智能穿戴设备等对功耗和性能都有较高要求的应用场景。由于其出色的低功耗特性和紧凑的封装形式，该芯片也适用于对空间和能耗敏感的物联网（IoT）设备。