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TPT7741F-SSAR 发布时间 时间:2025/5/13 14:39:20 查看 阅读:16

TPT7741F-SSAR是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关和功率管理应用。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度等特性。其封装形式为SOT-23,适合在空间受限的设计中使用。

参数

型号:TPT7741F-SSAR
  类型:N沟道MOSFET
  Vds(漏源电压):30V
  Rds(on)(导通电阻):50mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  Id(连续漏极电流):2.6A
  Vgs(栅源电压):±20V
  总功耗:430mW
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装:SOT-23

特性

TPT7741F-SSAR具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,在高电流条件下能有效降低功率损耗。
  2. 快速的开关速度,能够满足高频应用的需求。
  3. 高可靠性设计,适用于严苛的工作环境。
  4. 小型化封装,节省PCB板空间。
  5. 支持宽范围的工作温度,确保在极端条件下的稳定性能。
  6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到各种电路设计中。

应用

这款MOSFET广泛应用于各类电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器的开关元件。
  3. 电池管理系统的保护电路。
  4. 消费类电子产品中的负载开关。
  5. 信号切换和电机驱动控制。
  6. 其他需要高效功率传输和低功耗的应用场景。

替代型号

TPT7741F-SR, TPT7741F-TLAR

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