时间：2025/5/13 14:39:20
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TPT7741F-SSAR是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率管理应用。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度等特性。其封装形式为SOT-23，适合在空间受限的设计中使用。
型号：TPT7741F-SSAR
类型：N沟道MOSFET
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：50mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：2.6A
Vgs（栅源电压）：±20V
总功耗：430mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：SOT-23
TPT7741F-SSAR具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，在高电流条件下能有效降低功率损耗。
2. 快速的开关速度，能够满足高频应用的需求。
3. 高可靠性设计，适用于严苛的工作环境。
4. 小型化封装，节省PCB板空间。
5. 支持宽范围的工作温度，确保在极端条件下的稳定性能。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到各种电路设计中。
这款MOSFET广泛应用于各类电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器的开关元件。
3. 电池管理系统的保护电路。
4. 消费类电子产品中的负载开关。
5. 信号切换和电机驱动控制。
6. 其他需要高效功率传输和低功耗的应用场景。
TPT7741F-SR, TPT7741F-TLAR
