时间：2025/12/26 23:21:40
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TPSMB75CA-VR是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），主要用于电路中的静电放电（ESD）保护、浪涌保护以及过电压防护。该器件采用SMC（DO-214AB）封装，具有较高的功率处理能力，适用于需要快速响应和高可靠性保护的电子系统。TPSMB75CA-VR属于双向TVS二极管，意味着它可以对正负两个方向的瞬态电压进行钳位，因此特别适合用于交流信号线或可能遭受反向电压冲击的应用场景。
该器件的设计目标是在遭遇如雷击感应、电源突波或ESD事件等瞬态高压时，迅速将电压钳制在一个安全水平，从而保护下游敏感电子元件，如集成电路、微处理器、通信接口等。其工作原理基于雪崩击穿机制，在正常工作电压下呈现高阻抗状态，不影响电路运行；当瞬态电压超过其击穿电压时，TVS迅速进入低阻抗状态，将大部分瞬态能量旁路到地，限制电压上升幅度。
TPSMB75CA-VR的命名中，“TPSMB”代表安森美的TVS产品系列，“75C”表示其标称钳位电压等级，“A”可能指特定性能等级或版本，“VR”通常表示卷带包装（Tape and Reel），适合自动化贴片生产。该器件广泛应用于工业控制、消费电子、电源管理、通信设备等领域，作为第一道防线保障系统稳定性和寿命。
类型：双向TVS二极管
封装形式：SMC（DO-214AB）
反向关断电压（Vrwm）：67.0 V
击穿电压（Vbr）：最小74.4 V，最大82.3 V
最大钳位电压（Vc）：120.0 V @ Ipp = 3.58 A
峰值脉冲功率（Pppm）：600 W
峰值脉冲电流（Ippm）：3.58 A
漏电流（Ir）：最大5 μA
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
TPSMB75CA-VR具备优异的瞬态电压抑制能力，能够在纳秒级时间内响应过电压事件，有效防止因ESD、EFT或雷击引起的损坏。其双向结构设计使其能够应对正负极性的瞬态干扰，非常适合用于保护差分信号线、交流电源输入端口或未确定极性电压波动的场合。该TVS二极管采用高纯度半导体材料制造，确保了稳定的击穿特性和长期使用的可靠性。
器件的600W峰值脉冲功率能力使其可以承受较大幅度的瞬态能量冲击，满足IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5等国际电磁兼容性标准的要求，适用于工业环境下的严苛应用。此外，其低动态电阻特性有助于在导通状态下维持较低的钳位电压，减少对被保护电路的压力。
TPSMB75CA-VR的SMC封装具有良好的散热性能和机械强度，能够在回流焊工艺中保持稳定性，并提供足够的爬电距离和电气隔离。该封装尺寸紧凑，便于在PCB上布局，同时支持较高的功率密度需求。器件还具有极低的漏电流（典型值小于1μA），在待机或低功耗模式下几乎不增加系统功耗，适合用于电池供电或能效敏感型设备。
由于其严格的参数公差和批次一致性，TPSMB75CA-VR在大批量生产中表现出良好的可制造性与良率控制优势。安森美作为全球领先的功率半导体供应商，提供了完善的技术支持和质量保证体系，使得该器件在汽车电子、工业自动化、通信基础设施等领域获得了广泛应用。
TPSMB75CA-VR常用于各类需要过压保护的电子系统中，典型应用场景包括工业电源输入端的浪涌防护，用于吸收电网切换或雷击感应带来的瞬态能量；在通信接口如RS-485、CAN总线中，用于保护收发器免受静电和电感耦合干扰的影响；在消费类电子产品中，例如电视、机顶盒、智能家居控制器，用于提升整机的EMI/EMC性能和可靠性。
此外，该器件也适用于AC电源线路的初级保护层，配合压敏电阻或保险丝构成多级保护网络，实现更全面的安全防护。在太阳能逆变器、UPS不间断电源、电机驱动器等电力电子设备中，TPSMB75CA-VR可用于直流母线或控制信号线的瞬态抑制，防止开关噪声或负载突变引发的电压尖峰损坏敏感IC。
由于其宽泛的工作温度范围和高环境耐受性，该TVS也适合部署在户外或恶劣环境中运行的设备，如安防监控系统、交通信号控制装置、远程数据采集终端等。在汽车电子辅助系统中，尽管非车规级版本不适用于直接车载动力系统，但仍可用于车身电子模块的次级保护设计。总之，凡是有潜在过电压风险且需要快速响应保护的电路节点，TPSMB75CA-VR都是一种经济高效且技术成熟的选择。
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"SMBJ75CA",
"P6SMB-75CA",
"TPSMA75CA-TR",
"SA7.5A-E3/54",
"ESD9L5.0ST5G"
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