时间：2025/8/6 17:10:54
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TPS281C30 是一款由 Texas Instruments（德州仪器）推出的高速、低侧 N 沟道 MOSFET 驱动器，专为驱动功率 MOSFET 或 IGBT 设计。该器件采用了先进的 BiCMOS 工艺制造，具有快速的开关能力和较高的驱动电流能力，非常适合用于同步整流、DC-DC 转换器、电机控制和电源管理等应用。TPS281C30 具有宽输入电压范围，支持高频率工作，并具有较低的传播延迟和上升/下降时间。
供电电压范围：4.5V 至 20V
输出驱动电流（峰值）：1.2A（典型值）
传播延迟时间：15ns（典型值）
上升时间：9ns（典型值）
下降时间：7ns（典型值）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：8 引脚 SOIC
输入逻辑类型：TTL/CMOS 兼容
TPS281C30 的关键特性之一是其高效的驱动能力，能够在高频开关应用中提供快速的上升和下降时间，从而减少开关损耗，提高系统的整体效率。该驱动器的输入逻辑兼容 TTL 和 CMOS 电平，使得其能够轻松与多种控制器或逻辑电路接口。此外，TPS281C30 的低传播延迟（仅 15ns）确保了精确的时序控制，适用于高精度电源转换应用。
该器件采用低侧驱动架构，适合用于驱动接地端的 N 沟道 MOSFET。其宽输入电压范围（4.5V 至 20V）使得其可以适应多种电源架构，包括常见的 5V、12V 和 15V 系统。TPS281C30 还内置了欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于安全工作阈值时，自动关闭输出，防止 MOSFET 发生非预期的导通或损坏。
TPS281C30 的封装形式为 8 引脚 SOIC，体积小巧且易于 PCB 布局。其 BiCMOS 制造工艺不仅提高了器件的高频响应能力，还降低了静态功耗，从而在高负载条件下也能保持良好的热稳定性。
TPS281C30 广泛应用于各类电力电子变换器中，包括同步整流器、DC-DC 降压和升压转换器、电机驱动器、电源管理系统以及高频开关电源。此外，它也非常适合用于工业自动化、电信设备、服务器电源、电池充电器和功率因数校正（PFC）电路中。
TC4420, IR2110, LM5112
