时间：2025/6/6 8:38:47
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TPS1H200AQDGNRQ1 是一款由德州仪器（TI）生产的高压侧开关芯片，专为驱动和保护N沟道MOSFET而设计。该器件具有高侧浮动能力，能够支持高达60V的电压操作，适用于各种工业、汽车及消费类电子应用中的负载开关控制场景。
其内部集成了电荷泵电路以确保在高侧运行时能有效驱动外部MOSFET，并提供多种保护功能如过流限制、短路保护、热关断等，从而增强了系统的稳定性和可靠性。
型号：TPS1H200AQDGNRQ1
制造商：德州仪器 (TI)
封装：DSBGA-8
输入电压范围：4.5V 至 60V
最大输出电流：2A
工作温度范围：-40°C 至 125°C
静态电流：30uA 典型值
导通电阻：170mΩ 典型值
保护功能：过流保护、短路保护、热关断
TPS1H200AQDGNRQ1 提供了出色的性能特点：
1. 高压操作能力，支持高达60V的工作电压，适用于宽范围输入电源系统。
2. 内置电荷泵电路，可实现对高侧N沟道MOSFET的有效驱动，简化了设计复杂度。
3. 支持快速开启/关闭功能，有助于降低系统功耗并提高效率。
4. 多种保护机制，包括过流限制、短路保护以及热关断功能，极大提升了系统的安全性和可靠性。
5. 小尺寸DSBGA-8封装，节省PCB空间，非常适合对空间有严格要求的应用环境。
6. 宽工作温度范围(-40°C至125°C)，适合各类恶劣环境下的应用需求。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子系统中的负载开关控制，如信息娱乐系统、导航设备、电动座椅等。
2. 工业自动化设备中的继电器驱动、电机控制及传感器接口。
3. 消费类电子产品中需要高效电源管理的部分，例如便携式设备、家用电器等。
4. LED照明系统中的调光控制及保护功能实现。
5. 电池管理系统中的充放电控制和保护功能。
TPS1H200DRVR, TPS1H200A-Q1
