TPR3330-S3TR 时间：2025/6/12 17:21:13 阅读：21

TPR3330-S3TR 是一款基于 MOSFET 技术的 N 沟道功率场效应晶体管（Power MOSFET），专为高效率、低损耗应用设计。该型号具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的场景。
　　TPR3330-S3TR 采用 SOT-23 封装形式，这种小型化封装使其非常适合空间受限的应用环境。其出色的电气性能和可靠性，使其成为众多中低功率应用的理想选择。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±12V
　　连续漏极电流：3.8A
　　导通电阻（典型值）：65mΩ
　　总功耗：870mW
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

TPR3330-S3TR 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高系统效率。
　　2. 快速开关特性，适合高频开关应用。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
　　4. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
　　5. 提供出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持高性能。
　　6. 小型 SOT-23 封装，节省 PCB 空间，同时具备良好的散热性能。

应用

TPR3330-S3TR 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
　　2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
　　3. 各类电池供电设备的负载开关。
　　4. 便携式电子设备中的电源管理。
　　5. 小功率电机驱动及控制。
　　6. 过流保护电路以及固态继电器设计。