时间：2025/7/8 15:29:57
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TPNUP4201MR6T1G 是一款由安森美（onsemi）推出的高压 N 沃特定向 MOSFET 功率晶体管，采用 TO-263-7 封装形式。该器件设计用于高效率开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。其优化的沟槽式结构确保了低导通电阻和卓越的开关性能，同时具备强大的抗雪崩能力和可靠性。
TPNUP4201MR6T1G 的主要特点是支持高电压操作，典型额定值为 600V，使其能够适应广泛的工业和汽车级应用场景。此外，该器件通过 AEC-Q101 认证，满足汽车电子的严格要求。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：1.5A
栅极阈值电压：4V
导通电阻（Rds(on)）：1.8Ω（最大值，在 Vgs=10V 时）
总功耗：2.5W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-7
TPNUP4201MR6T1G 提供了多种优越的性能特点：
1. 高耐压能力，适用于苛刻的高压环境。
2. 极低的导通电阻 Rds(on)，减少了功率损耗并提高了效率。
3. 内置体二极管，支持续流保护功能。
4. 具备快速开关速度，降低了开关损耗。
5. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
6. 强大的短路承受能力和抗雪崩能力，增强了系统的鲁棒性。
7. TO-263-7 封装提供良好的散热特性和电气连接。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 工业和消费类电机驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
4. LED 照明驱动电路中的功率管理。
5. 电池管理系统（BMS）中的高侧或低侧开关。
6. 各种继电器替代方案，以实现更高效且紧凑的设计。
TPNUP4201MR6T1GA, TPNUP4201MR6T1GB
