时间：2025/8/2 6:39:00
阅读：19
TPN7R504PL 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率开关应用。该器件采用先进的沟槽工艺制造，具有低导通电阻和优异的开关性能，能够提供高效率的功率转换。该MOSFET封装形式为TO-220，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制等应用领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：70A
最大漏源电压（VDS）：50V
导通电阻（RDS(on)）：5.4mΩ（典型值）
栅极电压（VGS）：10V
最大功耗（PD）：180W
封装类型：TO-220
TPN7R504PL具有多项出色的电气特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）为5.4mΩ，显著降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。这在高电流应用中尤为重要，因为它减少了发热并提高了功率密度。其次，该器件的最大漏极电流可达70A，能够承受较大的负载电流，适用于高功率需求的电路设计。
此外，TPN7R504PL的工作电压范围为50V，适用于常见的低压功率转换应用，如电池供电系统、电源适配器和DC-DC转换器。其栅极驱动电压为10V，在标准的MOSFET驱动电路中易于控制，同时具备较高的开关速度，有助于减少开关损耗。
该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于需要高可靠性和长时间工作的应用场景。此外，TPN7R504PL还具备较高的热稳定性和抗过载能力，能够在恶劣的工作环境中保持稳定运行。
TPN7R504PL广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制和工业自动化设备。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为高效电源转换器的理想选择，例如在笔记本电脑、服务器、通信设备和电动汽车中的电源模块中使用。此外，该MOSFET还可用于电池管理系统（BMS），实现对电池充放电的精确控制和保护。在工业控制系统中，TPN7R504PL可用于驱动继电器、电磁阀和电机，提供快速响应和可靠的开关性能。
TPN7R504PL-H,TN7R504PL,TN7R504P,TNP7R504PL
