时间：2025/7/14 14:41:00
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TPHR8504PL1 是一款由 Toshiba（东芝）公司推出的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率应用设计。该器件属于功率MOSFET系列，适用于需要快速开关性能和低导通电阻的电路环境。其封装形式为表面贴装型（SOP Advance），适合用于空间受限的设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：40V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：8.5A
功耗(Pd)：2.8W
导通电阻(Rds(on))：约6.9mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
TPHR8504PL1 具有较低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。该器件支持高电流承载能力，确保在高负载条件下仍能稳定运行。此外，它具备快速开关特性，降低了开关过程中的能量损耗，使其非常适合高频应用。
为了提升可靠性，TPHR8504PL1 设计了较高的热稳定性，能够在高温环境下保持良好的性能。其表面贴装封装结构也有助于提高生产自动化水平并减少PCB空间占用。同时，该器件符合RoHS环保标准，适合现代绿色电子产品的制造要求。
TPHR8504PL1 常用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统、电源管理模块以及各类高效率功率电子产品中。由于其卓越的电气性能，也广泛应用于汽车电子、工业自动化设备、便携式电源设备等领域。
TPH9R00CPL,TPL7407L10
